《固体电子学研究与进展》杂志是统计源期刊,创办于1981年,发行周期是双月刊。复合影响因子0.29,由南京电子器件研究所主办,中国电子科技集团公司主管。该刊已被统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、CA 化学文摘(美)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏等主流学术数据库收录,并先后斩获中国优秀期刊遴选数据库、中国期刊全文数据库(CJFD)、中科双效期刊、中国科技期刊优秀期刊、中国期刊方阵双效期刊等荣誉,本站非杂志官网。
《固体电子学研究与进展》是由南京电子器件研究所主办,中国电子科技集团公司主管的全国性电子类期刊,创刊于1981年,刊号(CN 32-1110/TN,ISSN 1000-3819),全年定价:220.00元/期,双月刊。该杂志以刊登电子科学论文、评价电子科研成果、探讨电子教学规律、传播电子教学经验、开展电子学术讨论、报道电子研究动态、提供国内外电子信息为主旨,引领电子前沿和热难点问题研究,助电子经学者成长。该刊级别为统计源期刊,欢迎广大读者订阅。
《固体电子学研究与进展》期刊栏目主要有:三维集成射频微系统(专栏) 器件物理与器件模拟 射频微波与太赫兹 光电子学 硅微电子学 材料与工艺 研究简讯
(1)文献引证方式采用注释体例。注释用尾注,置于文末。
(2)作者简介在稿件首页地脚。顺序列出:姓名(出生年-),性别(民族),籍贯,工作单位及职务,职称,学位,学术简历及研究方向。
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(5)来稿若为课题研究成果,则凡被省级以上单位正式立项的课题,应在文中标明课题的立项单位、级别、时间和编号等信息。
| 年度 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
| 影响因子 | 0.2227 | 0.2746 | 0.2832 | 0.2733 | 0.4012 | 0.4235 | 0.5143 | 0.3296 |
| 立即指数 | 0.0455 | 0.0353 | 0.0115 | 0.0706 | 0.1059 | 0.0778 | 0.0337 | 0.0114 |
| 发文量 | 88 | 85 | 87 | 85 | 85 | 90 | 89 | 88 |
| 引用半衰期 | 5.29 | 5.42 | 5.57 | 5.46 | 5.19 | 5.08 | 5.02 | 5.07 |
| 被引半衰期 | 4.94 | 5.46 | 5.21 | 5.4 | 5.37 | 4.73 | 5.8 | 5.29 |
| 被引次数 | 4 | 3 | 1 | 6 | 9 | 7 | 3 | 1 |
| 期刊他引率 | 0.84782606 | 0.8081633 | 0.82040817 | 0.81 | 0.85375494 | 0.8396947 | 0.78899086 | 0.82539684 |
| 平均引文率 | 9.9432 | 10.8471 | 11.5862 | 12.2941 | 13.8588 | 12.2556 | 15.3708 | 22.7045 |
1、主要引证文献期刊分析
| 序号 | 期刊 | 涉及文献量 |
| 1 | 《半导体技术》 | 209 |
| 2 | 《微电子学》 | 151 |
| 3 | 《Journal of Semiconductors》 | 113 |
| 4 | 《电子与封装》 | 109 |
| 5 | 《电子器件》 | 85 |
| 6 | 《电子元件与材料》 | 78 |
| 7 | 《现代电子技术》 | 57 |
| 8 | 《微电子学与计算机》 | 54 |
| 9 | 《电子设计工程》 | 53 |
| 10 | 《微纳电子技术》 | 49 |
2、主要参考文献期刊分析
| 序号 | 期刊 | 涉及文献量 |
| 1 | 《Journal of Semiconductors》 | 297 |
| 2 | 《半导体技术》 | 144 |
| 3 | 《物理学报》 | 132 |
| 4 | 《微电子学》 | 109 |
| 5 | 《电子学报》 | 105 |
| 6 | 《微波学报》 | 85 |
| 7 | 《电子与封装》 | 67 |
| 8 | 《电子器件》 | 55 |
| 9 | 《电子元件与材料》 | 50 |
| 10 | 《Chinese Physics B》 | 39 |
| 序号 | 机构名称 | 发文量 | 相关发文主题 |
| 1 | 南京电子器件研究所 | 925 | 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS |
| 2 | 东南大学 | 317 | 电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路 |
| 3 | 复旦大学 | 231 | 电路;功耗;集成电路;低功耗;半导体 |
| 4 | 中国科学院 | 148 | 晶体管;半导体;分子束;分子束外延;异质结 |
| 5 | 西安电子科技大学 | 116 | 半导体;电路;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅 |
| 6 | 浙江大学 | 77 | 电路;半导体;芯片;金属氧化物半导体;低功耗 |
| 7 | 清华大学 | 70 | 电路;集成电路;计算机;半导体;GAAS |
| 8 | 天津大学 | 69 | 隧穿;电路;晶体管;共振隧穿;负阻 |
| 9 | 南京大学 | 68 | 发光;半导体;纳米;氮化镓;GAN |
| 10 | 中国科学院微电子研究所 | 68 | 电路;低噪;低噪声;晶体管;CMOS |
固体电子学研究与进展杂志是由南京电子器件研究所主办的一本统计源期刊,国际刊号:1000-3819,国内刊号:32-1110/TN。固体电子学研究与进展杂志可用于职称评定,您可以放心投稿。
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